特許

J-GLOBAL ID：200903024570434120

半導体装置

発明者： 山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-240098
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107167
出願日： 1994年10月04日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】 小型化、軽量化を実現した半導体装置を提供する。【構成】 表裏面を有する基体1の一方の面側に中空部(凹部2)が形成され、この中空部内に第一の半導体素子が設けられ、第一の半導体素子の裏側に第二の半導体素子が設けられてなる半導体装置。第一の半導体素子が受光素子面3aを有してなる受光素子3であり、第二の半導体素子が受光素子3を駆動するための駆動素子5であり、受光素子3がその受光素子面3aを外側に向けて中空部内に配置され、受光素子面3aが透明材料で封止されている半導体装置。また、第一の半導体素子が受光素子面3aを有してなる受光素子3であり、第二の半導体素子がペルチェ素子20であり、ペルチェ素子20が受光素子3の裏側に配設されるとともに、その冷却面20bを受光素子3側に向け、かつ放熱面20aを外側に向けて配設されている半導体装置。

請求項（抜粋）：

表裏面を有する基体の一方の面側に中空部が形成され、該中空部内に第一の半導体素子が設けられ、該第一の半導体素子の裏側に第二の半導体素子が設けられてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/38 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 27/14 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-035474
  
• 特開平1-295449
  
• 特開平1-054979