特許

J-GLOBAL ID：200903024571028397

絶縁膜の表面処理方法

発明者： 野中 裕司
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038583
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249867
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 十分な密着性を有した絶縁膜を得るための、絶縁膜の表面処理方法を提供する。【構成】 絶縁膜の表面を、O2、CF4の混合ガスによるプラズマで処理し、絶縁膜の密着性を改善する。この時、混合ガスに対するCF4の濃度が40%以上であると、純粋酸素によるプラズマ処理の場合と比較して密着性の改善効果が顕著である。さらに、CF4の濃度が70%である場合が、最も密着性の向上の程度が大きい。

請求項（抜粋）：

基材上に第1の絶縁膜を形成し、この絶縁膜の表面にさらに第2の絶縁膜を形成する場合における絶縁膜の表面処理方法において、前記第1の絶縁膜の表面を酸素とCF4との混合ガスによるプラズマで処理し、その後に前記第2の絶縁膜を形成することを特徴とする、絶縁膜の表面処理方法。

IPC (4件)：

H05K 3/46 ,  C08J 7/00 CFG ,  C08J 7/00 306 ,  H05K 3/38