特許
J-GLOBAL ID：200903024571437572
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-011402
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224148
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の上に形成された絶縁膜に高アスペクト比の開口を形成する。【構成】 半導体基板1の上に絶縁膜2を形成する工程と、絶縁膜2の開口予定部に選択的に不純物をイオン注入して不純物層4を形成する工程と、不純物層4を選択的に除去することにより絶縁膜2にコンタクトホール5を形成する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の開口予定部に選択的に不純物をイオン注入して不純物層を形成する工程と、前記不純物層を選択的に除去することにより前記絶縁膜に開口を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28
, H01L 21/265
, H01L 21/90
