特許

J-GLOBAL ID：200903024574360538

ナノメータ・スケール粒子の成長方法

発明者： 佐藤 俊彦 ,  ハルーン アーメド
出願人/特許権者： ヒタチ ヨーロッパ リミテッド
代理人 (1件)： 富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-063461
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321834
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【解決手段】例えばAuのナノメータ・スケール粒子(3)は、APTMS溶液による処理で第1の電気極性のレセプタサイト(4)が付与されたSiO2表面層(1)上に被着される。Au粒子(3)は、例えば表面吸着されたシトラート・イオンによる第2の逆極性の表面電荷(5)を有し、その結果、それらの粒子は基板上の当該表面サイトへ引きつけられる。被着されたAu粒子は、ついで、基板サイトから解放され、それらの粒子は基板上を移動して低次元の集合構造となるよう合体する。この集合構造は、基板の表面上の表面不規則部に生成することができる。【効果】この構造は、単一電子トランジスタのような量子電子デバイスに用いることができる。

請求項（抜粋）：

基板(1,2)上にナノメータ・スケールの粒子(3)を成長させる方法であって、基板の表面上に第1の電気極性のレセプタサイト(4)を設け、前記粒子(3)は基板上の前記表面サイトに引きつけられるよう第2の逆極性の表面電荷(5)を有し、前記粒子を前記表面サイトから解放することにより、前記粒子が基板上を移動し集合状態へ合体することを特徴とする、ナノメータ・スケールの粒子(3)を成長させる方法。

IPC (4件)：

H01L 29/66 ,  H01L 21/208 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80

FI (4件)：

H01L 29/66 ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80 A