特許
J-GLOBAL ID：200903024576554305
半導体基板,半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-143105
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017841
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル基板に関し,基板からエピタキシャル層への酸素拡散を阻止し,かつ優れたゲッタリング効果を得る。【構成】 シリコン基板1に注入不純物2をイオン注入した後,酸素析出核6を生成する核生成熱処理により,シリコン基板1表面に形成された注入不純物2濃度が低くかつ析出核6密度が低い表面層3,その下に形成された注入不純物2濃度が高くかつ析出核6密度が高い高密度層4a,及びその下に形成された注入不純物2濃度が高密度層4aより低くかつ析出核6密度が高密度層4aより低い低密度領域5aとを形成し,その後,表面層3上にエピタキシャル層8を堆積する。
請求項（抜粋）：
過飽和の酸素を含む第一導電型のシリコン基板上にエピタキシャル層が堆積された半導体基板において,該シリコン基板は,炭素又は第一導電型の不純物からなる注入不純物のイオン注入及び該イオン注入後になされた酸素の析出核を生成する核生成熱処理により,該シリコン基板表面に形成された該注入不純物濃度が低くかつ該析出核密度が低い表面層と,該表面層の下に形成された該注入不純物濃度が高くかつ該析出核密度が高い高密度層と,該高密度層の下に形成された該注入不純物濃度が該高密度層より低くかつ該析出核密度が該高密度層より低い低密度領域とを有し,該エピタキシャル層は,該表面層上に堆積された半導体からなることを特徴とする半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
