特許
J-GLOBAL ID：200903024586076983
化合物半導体結晶の気相成長方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322997
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104193
出願日： 1992年12月02日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 Si基板から拡散するSi原子がGaAs層に取り込まれるオートドーピング現象を抑制し、成長時にサセプタ周囲に堆積する化合物半導体成分の気相拡散による基板の汚染を防止し、高性能デバイスへの適用が可能となる高純度の化合物半導体結晶を低コストで成長することができる気相成長方法及びその装置を提供しようとするものである。【構成】 Si基板に化合物半導体結晶を有機金属気相成長法で成長させる方法及びその装置において、Si基板の裏面、側面及び表面の外周部をサセプタ及びリング状カバーで覆い、気相と遮断した状態でSi基板の主面に化合物半導体結晶を気相成長させることを特徴とする化合物半導体結晶の気相成長方法、及び、その装置である。
請求項（抜粋）：
Si基板に化合物半導体結晶を有機金属気相成長法で成長させる方法において、Si基板の裏面、側面及び表面の外周部をサセプタ及びリング状カバーで覆い、気相と遮断した状態でSi基板の主面に化合物半導体結晶を気相成長させることを特徴とする化合物半導体結晶の気相成長方法。
IPC (2件)：
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