特許

J-GLOBAL ID：200903024586344139

半導体装置およびその製造方法

発明者： 坂詰 太津美 ,  宮本 誠司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-044725
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243439
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 伝送特性および生産性が良好で高密度の配線を実現する。【解決手段】 チップ10の高周波電極14と配線基板20の高周波内部端子46との間に半田バンプから形成された高周波接続端子部50の外側に半田バンプから形成された遮蔽接続端子部51を同心円に形成する。また、配線基板20の内部端子46に接続された高周波スルーホール導体部48の外側には遮蔽スルーホール導体部36を絶縁膜38を挟んで同心円に形成する。【効果】 遮蔽接続端子部と遮蔽スルーホール導体部により高周波接続端子部と高周波スルーホール導体部の電磁界の影響を防止できるため、伝送特性を向上でき高密度の配線を実現できる。多数個の遮蔽接続端子部と遮蔽スルーホール導体部をCCB法、リソグラフィー法やエッチング法等の一括処理法によってそれぞれ同時に形成できるため、生産性の低下を回避できる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極と配線基板の内部端子との間に半田バンプから形成された接続端子部を備えている半導体装置であって、前記接続端子部の外側には半田バンプから形成された遮蔽接続端子部が同心円に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 27/04

FI (5件)：

H01L 23/12 501 B ,  H01L 21/92 602 Q ,  H01L 27/04 E ,  H01L 21/92 602 P ,  H01L 21/92 602 G

Fターム (4件)：

5F038BE07 ,  5F038BH10 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20