二重フィールド酸化プロセスにおけるステッパー・アライメントマークの形成

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-537261
公開番号（公開出願番号）：特表2002-507840
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2002年03月12日
要約：

【要約】本発明は、半導体製造工程においてウェハ・アライメント精度を高めるための半導体フォトマスク・セットである。このアライメント・マークの主な機能は、マスクの位置ずれを防ぐことである。従来のマイクロチップ製造方法では、アライメント・マークが酸化物材料の層で覆われ、正確な位置合わせが困難なプロセスになる。本発明のフォトマスク・セット(M1 ,M3 )は、二重フィールド酸化物製造工程にかけた後で、次の製造のために正確なアライメント・マーク(17M )を作成する。マスク・セット(M1 ,M3 )は、ステッパ・ウェハ・アライメント・ツールと共に使用することができ、特にブロック・データ消去動作を実行することができる半導体メモリ製品を形成する際に有用である。露出したアライメント・マーカ(17M )は、製造工程の間のマスク位置ずれの検査と試験を容易にする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1の領域上に複数の第1のフィールド酸化物領域を形成するためのマスク部分と、アライメント・マーカを形成するためのアライメント・マーク部分とを有する第1のマスク部材と、前記半導体基板の第2の領域上に複数の第2のフィールド酸化物領域を形成するためのマスク部分と、形成された任意のアライメント・マーカを覆うように描かれたマスク部分とを有する第2のマスク部材とを有することを特徴とする、半導体基板上に二重フィールド酸化物領域を形成するための半導体フォトマスク・セット装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/02

FI (5件)：

G03F 1/08 N , G03F 7/20 521 , H01L 21/02 A , H01L 21/30 522 Z , H01L 21/30 502 M

Fターム (8件)：

2H095BE03 , 5F046EA13 , 5F046EA15 , 5F046EA26 , 5F046EB07 , 5F046ED01 , 5F046FC01 , 5F046FC02

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-187224
特開平3-049212

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