特許

J-GLOBAL ID：200903024591657331

半導体装置

発明者： 川浦 久雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239345
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094732
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】半導体装置のホットキャリア耐性を向上させる。【構成】MOS型集積回路のゲート電極5Aとして透明電極を採用することで、ドレイン3近傍の高電界により発生したホットキャリアが再結合する再に放出されるフォトン6が、ゲート電極5Aとゲート酸化膜4の界面で反射して再び半導体基板内に侵入する事を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有する半導体装置において、前記ゲート電極は近赤外光及び可視光を透過する材料で形成されている事を特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭51-009275
  
• 特開昭51-135382