特許
J-GLOBAL ID：200903024592887330
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030606
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244239
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】素子側表面から半導体基板に電位付与が可能なSOI半導体装置を提供する。【構成】半導体層3は中間絶縁膜2により半導体基板1から絶縁される。半導体基板1に達する凹部9の側面に敷設された短絡導体10は半導体基板1と周辺領域部3bとを短絡し、これにより半導体基板1には周辺領域部3bと同じ電位が付与される。周辺領域部3bは素子形成領域部と同様に例えばバンプ7を通じて配線基板8から電位を付与される。したがって、フリップチップ、TABなどの方法で配線基板8にバンプを介してチップを接続する場合でも半導体基板1に一定電位を付与することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に中間絶縁膜を介して半導体層を有し、前記半導体層は、前記半導体層の一部領域を絶縁分離して形成され素子形成用の素子形成領域部と、前記素子形成領域部以外の前記半導体層からなる周辺領域部とを備える半導体装置において、前記周辺領域部に穿設されて前記半導体基板に達する凹部と、前記凹部の側面に敷設されて前記周辺領域部及び前記半導体基板を短絡する短絡導体とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 29/44
