特許

J-GLOBAL ID：200903024593251715

サンドブラストを施した半導体ウエーハの洗浄方法およびこの方法で洗浄した半導体ウエーハ

発明者： 小杉 明
出願人/特許権者： 直江津電子工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244183
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070099
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウエーハのサンドブラスト後の洗浄において、サンドブラストでの汚染を確実に除去することができる洗浄方法を提供することによって、高純度の半導体ウエーハを得るとともに、デバイス工程でサンドブラストによる十分なゲッタリング効果が発揮される半導体ウエーハを提供する。【解決手段】 サンドブラストを施した半導体ウエーハの洗浄方法において、半導体ウエーハにサンドブラストを施した後、該半導体ウエーハを1.5〜20wt%のフッ酸を用いて、液温を50°C以上沸点以下として、3〜20分洗浄する、ことを特徴とするサンドブラストを施した半導体ウエーハの洗浄方法。そして、このような方法によりサンドブラストを施した半導体ウエーハ、特にシリコン単結晶ウエーハを洗浄することによって、高純度でゲッタリング能力の高い半導体ウエーハを得る。

請求項（抜粋）：

サンドブラストを施した半導体ウエーハの洗浄方法において、半導体ウエーハにサンドブラストを施した後、該半導体ウエーハをフッ酸を用いて、液温を50°C以上沸点以下として洗浄する、ことを特徴とするサンドブラストを施した半導体ウエーハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 301

FI (2件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 301 S