特許
J-GLOBAL ID：200903024596440098
不揮発性半導体メモリおよびそれを使用した半導体ディスク装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142193
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014392
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】フラッシュEEPROMの最大書き込み試行回数を任意の値に設定できるようにし、チップ性能を用途に応じて変更可能にする。【構成】リード/ライト制御回路123によって繰り返し実行される書き込み試行回数の最大値を示す最大書き込み試行回数データがレジスタ15にセットされており、そのレジスタ15の内容は外部からのレジスタ書き替えコマンドに応じて更新される。したがって、最大書き込み試行回数の値をユーザが自由に設定できるようになり、フラッシュEEPROM10の用途に応じてチップ性能を自由に変更する事が可能となる。
請求項（抜粋）：
メモリセルアレイと、外部から供給される書き込みデータを前記メモリセルアレイに書き込む書き込み手段と、この書込み手段によって前記メモリセルアレイに書き込まれたデータ内容を前記書き込みデータと比較し、その一致の有無に基づいてデータ書き込み動作が正常に実行されたか否かを検証するベリファイ手段と、このベリファイ手段によってデータ書き込み動作のエラーが検出された際、前記ベリファイ手段によってデータ書き込み動作の正常実行が検証されるまで前記書き込み手段に書き込み動作を繰り返し試行させる手段と、前記書き込み手段によって繰り返される書き込み試行回数の最大値を示す最大書き込み試行回数データがセットされるデータ保持手段と、前記書き込み手段による書き込み動作の試行回数が前記データ保持手段にセットされている最大書き込み試行回数データによって規定される回数に達した際、不良セルが存在する事を示すステータス信号を外部に通知するエラー通知手段と、外部からの要求に応じて前記データ保持手段の内容を更新して前記最大書き込み試行回数の値を変更する最大書き込み試行回数更新手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, G06F 3/08
, G06F 12/16 310
