特許
J-GLOBAL ID:200903024605281550

RF信号スイッチ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-033104
公開番号(公開出願番号):特開平11-234106
出願日: 1998年02月16日
公開日(公表日): 1999年08月27日
要約:
【要約】【課題】 必要な端子数を削減することが可能な構成のRF信号スイッチ回路を提供する。【解決手段】 本発明に係るRF信号スイッチ回路は、キャパシタ及びダイオードを用い、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、かつ、制御信号が入力される制御端子を、被制御RF信号伝達経路を接地する接地端子として兼用することにより、被制御RF信号伝達経路の選択又は被制御RF信号伝達の有無の切替が行われるようにしたものである。
請求項(抜粋):
被制御RF信号が入力されるRF信号入力ノードにドレインが接続され、前記被制御RF信号が出力される第1のRF信号出力ノードにソースが接続され、第1の制御信号が入力される第1の制御信号入力ノードにゲートが接続された第1の電界効果型トランジスタと、前記RF信号入力ノードにドレインが接続され、前記被制御RF信号が出力される第2のRF信号出力ノードにソースが接続され、第2の制御信号が入力される第2の制御信号入力ノードにゲートが接続された第2の電界効果型トランジスタと、前記第1の電界効果型トランジスタのソース、前記第1及び第2の電界効果型トランジスタのドレイン、前記第2の電界効果型トランジスタのソースに一方側電極が接続されたキャパシタと、前記キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、前記第1の制御信号入力ノードにカソードが接続された第1のダイオードと、前記キャパシタの前記他方側電極にアノードが接続され、前記第2の制御信号入力ノードにカソードが接続された第2のダイオードと、を備えたことを特徴とするRF信号スイッチ回路。
IPC (2件):
H03K 17/687 ,  H03K 17/693
FI (2件):
H03K 17/687 G ,  H03K 17/693 A

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