特許
J-GLOBAL ID：200903024613146999

半導体製造工程等の排出ガス濾過処理方法

発明者：
竹綱 貞義

竹綱 貞義 について


出願人/特許権者：
竹綱 貞義

竹綱 貞義 について


代理人 (1件)： 鮫島 武信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041818
公開番号（公開出願番号）：特開平7-222908
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】半導体製造工程等からの排出ガスの濾過処理方法において、より効率的に二酸化珪素等の微粉塵を除去し、フィルター部材の使用寿命を長くすること。【構成】半導体製造装置10と濾過装置11を配管15により接続する。濾過装置11は濾過機12と触媒槽13からなる。配管15の途中に熱風送入ユニット20を設備する。熱風送入ユニット20はヒーター21とブロアー22からなる。このユニット20にて熱風を発生させ、配管15内に熱風を送り込む。【効果】熱風により排出ガスの酸化反応から生ずる水分の悪影響を防止し、二酸化珪素の配管内表面への付着や、フィルター部材への固着を防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体製造工程又は半導体製造装置に、濾過除塵手段及び触媒槽から成る濾過装置を接続して濾過処理工程を施し、半導体製造工程又は半導体製造装置から排出される微粉塵及び有毒ガスを、除去及び無公害ガスに変換する濾過処理方法において、上記濾過処理工程の前に、熱風を送り込む熱風送入工程を付加したことを特徴とする半導体製造工程等の排出ガス濾過処理方法。
IPC (3件)：
B01D 51/00 ZAB ,  B01D 46/00 ZAB ,  B01D 53/86 ZAB
引用特許：
審査官引用 (3件)

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