特許
J-GLOBAL ID：200903024613785517
プラズマ表面処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354212
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201833
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】被処理基体が収容される真空容器内を高真空にしても、エッチングを行なえる程度の密度のプラズマを生成できるプラズマエッチング装置を提供すること。【構成】真空容器1、カソード電極2、アノード電極7、真空容器1の内壁に形成された溝9、並びにダイポールリングマグネット10とを備え、カソード電極2とアノード電極7との間に高周波電源を印加し、通常通りにプラズマを生成するとともに、溝9でホロカソード放電を起こして高密度のプラズマを生成し、この高密度のプラズマをダイポールリングマグネット10で溝9から引き出し、被処理基体3上に高密度のプラズマ領域11を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被処理基体が収容される処理室と、この処理室内に磁場を形成する手段と、前記処理室内にプラズマ源ガスを供給する手段と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理室内にホロカソード放電を発生させ、このホロカソード放電により前記プラズマ源ガスをプラズマ化する手段と、前記ホロカソード放電とは別の放電により前記プラズマ源ガスをプラズマ化する手段とを具備してなることを特徴とするプラズマ表面処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
