特許

J-GLOBAL ID：200903024616233779

集積回路においてコンタクトビアを製造する方法

発明者： マイケル ハスラム ,  チャールズ スピナー
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104413
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045457
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 集積回路においてコンタクトビアを製造する方法及びその結果得られる構成体が提供される。【構成】 集積回路における下側に存在する層の上に相互接続層10を形成し、これに隣接してバッファ領域24を形成し、次いで絶縁層14を形成する。この層を貫通してコンタクトビア16を形成し、相互接続層の一部を露出させる。このコンタクトビアの形成期間中に、該バッファ領域はエッチストップとして作用し下側に存在する層を保護する。該バッファ領域は、更に、コンタクトビア30の配置においてエラーが存在する場合に信頼性のあるコンタクトが形成されることを確保する。

請求項（抜粋）：

集積回路においてコンタクトビアを製造する方法において、集積回路における下側に存在する層の一部の上に相互接続層を形成し、前記相互接続層に隣接してバッファ領域を形成し、前記集積回路上に第一絶縁層を形成し、尚前記第一絶縁層は前記バッファ領域上において選択的にエッチング可能であり、前記第一絶縁層を貫通してコンタクトビアを形成して前記相互接続層の一部を露出させ、その際に前記バッファ領域がエッチストップとして作用し前記コンタクトビアの形成期間中に前記下側に存在する層を保護し、且つ前記バッファ領域がビアの配置におけるエラーを許容する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/30 311 B ,  H01L 21/88 R