特許
J-GLOBAL ID：200903024624225548
ハイブリッド集積回路装置の構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165395
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022729
出願日： 1993年07月05日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 絶縁合成樹脂基板2内に、複数個の電子部品3,4を埋設し、前記絶縁合成樹脂基板2におけるの表面に、前記各電子部品3、4の相互間を接続する電気回路パターン5を形成したハイブリッド集積回路装置において、前記電気回路パターン5に対する外部接続用のリード端子6を固着するに際して、このリード端子における引張り強度及び曲げ強度を向上すると共に、コストの低減を図る。【構成】 絶縁合成樹脂基板2内に、前記リード端子6における基端部6aを埋設する一方、前記電気回路パターン5を、前記リード端子6の基端部6aまで延長する。
請求項（抜粋）：
絶縁合成樹脂基板内に、複数個の電子部品を、当該各電子部品における接続端子の一部が前記絶縁合成樹脂基板における表裏両面のうち少なくとも一方の表面に露出するように埋設し、前記絶縁合成樹脂基板における一方の表面に、前記各電子部品の相互間を電気的に接続する電気回路パターンを形成して成るハイブリッド集積回路装置において、前記絶縁合成樹脂基板内に、外部接続用の金属製リード端子における基端部を、当該基端部の一部が前記絶縁合成樹脂基板における一方の表面に露出するように埋設する一方、前記絶縁合成樹脂基板における一方の表面の電気回路パターンを、前記リード端子の基端部における露出部まで延長したことを特徴とするハイブリッド集積回路装置の構造。
IPC (3件)：
H05K 1/18
, H01L 23/28
, H05K 1/11
