特許
J-GLOBAL ID：200903024627609924
ヒドロナフト[2,3-c]フラン誘導体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348326
公開番号（公開出願番号）：特開2000-229961
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】ムスカリンM2受容体に対し強力かつ選択的な拮抗作用を有するアルカロイドであるヒンバシンの、有用な製造中間体を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)(式中、R1は低級アルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表し、R2は水素原子、低級アルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表し、R3、R4は一体となって酸素原子またはメチレン基を表すか、あるいはR3が水素原子を表し、R4が水酸基、低級アルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、または低級アシルオキシ基を表し、R5、R6は一体となって酸素原子を表すか、あるいはR5が水素原子を表し、R6が水酸基、低級アルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、または低級アシルオキシ基を表し、破線を伴った場合は、一方が一重結合で、他方が二重結合を表すか、あるいはいずれも一重結合を表す。)で示される、ヒドロナフト[2,3-c]フラン誘導体、およびその中間体。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)(式中、R1は低級アルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表し、R2は水素原子、低級アルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表し、R3、R4は一体となって酸素原子またはメチレン基を表すか、あるいはR3が水素原子を表し、R4が水酸基、低級アルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、または低級アシルオキシ基を表し、R5、R6は一体となって酸素原子を表すか、あるいはR5が水素原子を表し、R6が水酸基、低級アルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、または低級アシルオキシ基を表し、破線を伴った場合は、一方が一重結合で、他方が二重結合を表すか、あるいはいずれも一重結合を表す。)で示される、ヒドロナフト[2,3-c]フラン誘導体。
IPC (3件)：
C07D307/92
, C07D493/18
, C07D307:00
