特許

J-GLOBAL ID：200903024629393686

半導体ウェハの処理方法

発明者： 上田 章洋
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036356
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236014
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】 酸素プラズマなどを発生させないで、半導体ウェハの帯電を簡単に除電して半導体ウェハを取り外すことができるようにし、半導体ウェハの表面にダメージや損傷を与えることなく、一定の、しかも信頼性の優れた処理を行うことができる半導体ウェハの処理方法を提供する。【解決手段】 (a)半導体ウェハを該半導体ウェハより外周の小さいステージ上に載せ、(b)該ステージの静電チャック用の電源をオンにすることにより前記半導体ウェハを前記ステージに保持し、(c)該半導体ウェハの表面に処理を施し、(d)該処理が終了した後、前記静電チャックの電源をオフにすると共に、前記ステージからはみ出る前記半導体ウェハの外周の少なくとも一部に接触し得る導電部材を接触させて除電することにより、前記静電チャックの保持を解除し、(e)前記半導体ウェハを前記ステージから取り外す。

請求項（抜粋）：

(a)半導体ウェハを該半導体ウェハより外周の小さいステージ上に載せ、(b)該ステージの静電チャック用の電源をオンにすることにより前記半導体ウェハを前記ステージに保持し、(c)該半導体ウェハの表面に処理を施し、(d)該処理が終了した後、前記静電チャック用の電源をオフにすると共に、前記ステージからはみ出る前記半導体ウェハの外周の少なくとも一部に接触し得る金属部材を接触させて除電することにより、前記静電チャックの保持を解除し、(e)前記半導体ウェハを前記ステージから取り外すことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/68 R ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (7件)：

5F004AA06 ,  5F004BB22 ,  5F004BC06 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA35 ,  5F031MA32