特許
J-GLOBAL ID:200903024629486250
X線光学素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-328473
公開番号(公開出願番号):特開2001-141893
出願日: 1999年11月18日
公開日(公表日): 2001年05月25日
要約:
【要約】【課題】 優れたピーク反射率と積分反射率を有しX線反射特性の制御が容易なX線素子を提供すること。【解決手段】 酸素イオンまたは炭素イオンを注入されたSi結晶からなるX線光学素子。
請求項(抜粋):
酸素イオンまたは炭素イオンを注入されたSi結晶からなることを特徴とするX線光学素子。
IPC (3件):
G21K 1/06
, G21K 1/00
, H05H 13/04
FI (6件):
G21K 1/06 D
, G21K 1/06 B
, G21K 1/06 C
, G21K 1/06 Z
, G21K 1/00 X
, H05H 13/04 U
Fターム (5件):
2G085AA13
, 2G085DB01
, 2G085EA01
, 2G085EA04
, 2G085EA07
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