半導体装置の配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-240512
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078415
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】下層配線層の加工性を損なうことなく、パッド部を形成すべき開口部の底部での下層配線層のエッチングの防止の改善、開口部底部でのボイド発生の改善を達成することができ、ワイヤーボンディング特性や接続孔の信頼性に優れた半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】半導体装置の配線形成方法は、基体10上に設けられた絶縁層11の上に、キャップメタル層を頂面に有する下層配線層23を形成する工程と、キャップメタル層の表面改質を行う工程と、層間絶縁層30を形成した後、下層配線層23の上方の層間絶縁層30に開口部31,32を形成する工程と、開口部内に金属配線材料33を埋め込む工程から成る。キャップメタル層の表面改質は、イオン注入法、拡散炉熱処理法又はプラズマ処理法にて行われることが望ましい。

請求項（抜粋）：

(イ)基体上に設けられた絶縁層の上に、キャップメタル層を頂面に有する下層配線層を形成する工程と、(ロ)キャップメタル層の表面改質を行う工程と、(ハ)層間絶縁層を形成した後、下層配線層の上方の層間絶縁層に開口部を形成する工程と、(ニ)該開口部内に金属配線材料を埋め込む工程、から成ることを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/88 R , H01L 21/90 B

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