特許

J-GLOBAL ID：200903024641067620

配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造

発明者： 山口 浩一 ,  濱田 紀彰 ,  米倉 秀人 ,  窪田 武志 ,  國松 廉可
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-165879
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330690
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【構成】Cuなどのメタライズ配線層を絶縁基板の表面あるいは内部に配設した配線基板あるいは半導体素子収納用パッケージにおいて、絶縁基板を線熱膨張係数が6〜18ppm/°C(40°C〜400°C)かつ屈伏点が400°C〜800°CかつPbを含有しない結晶性ガラスが20〜80体積%、線熱膨張係数が6ppm/°C以上(40°C〜400°C)のフィラーを80〜20体積%の組成を持つ成形体を焼成して得られた線熱膨張係数が8〜18ppm/°C(40°C〜400°C)の焼結体により構成し、これを少なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に実装する。【効果】メタライズ配線層の同時焼成を可能とし、高熱膨張の絶縁基板を高品質で且つ安価に製造することができ、外部電気回路基板に実装しても電気的接続が安定した信頼性の高い基板を提供できる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設された配線基板において、前記絶縁基板が、40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が6〜18ppm/°C、屈伏点が400°C〜800°Cであり、かつPbを含有しない結晶性ガラスを20〜80体積%と、40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が6ppm/°C以上のフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成した40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体からなることを特徴とする配線基板。

IPC (2件)：

H05K 1/03 610 ,  H01L 23/06

FI (2件)：

H05K 1/03 610 B ,  H01L 23/06 Z