特許

J-GLOBAL ID：200903024641866743

多層配線構造およびその製造方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266693
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111842
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 Cuを主体とする下層配線と、Alの選択CVD法によるAl埋め込みプラグとが接続する境界面で発生するコンタクト不良を防止した多層配線構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Ti膜2、TiN膜3、Cu膜4、TiN膜5およびAl合金膜21とTiN膜22で構成する密着薄膜20をパターニングして、Cuを主体とする下層配線であるCu配線23を形成し、層間絶縁膜7を堆積した後、コンタクトホール8を形成し、コンタクトホール8底部の密着薄膜20を構成するTiN膜22に開口24を形成して密着薄膜20を構成するAl合金膜21を露呈させ、プラズマクリーニング処理を行った後、Alの選択CVD法によるAlプラグ9を形成し、Al合金配線10を形成する。

請求項（抜粋）：

Cuを主体とする下層配線と、Alの選択CVD法で形成するAl埋め込みプラグとを有する多層配線構造において、下層バリア膜、Cu膜、上層バリア膜および導電体の密着薄膜とで構成する、Cuを主体とする下層配線を有することを特徴とする多層配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 L