特許
J-GLOBAL ID：200903024642586949
静電気放電装置および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-359409
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200694
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 大電流能力を有するESD保護装置を提供する。【解決手段】 静電気放電(ESD)による劣化に対処する保護装置としての応用のための横型npnトランジスタの大電流能力は、アバランシェを起こしているpn接合からウエハの裏面コンタクト(10)へ流れるコレクタ電流が通る材料の電気抵抗値を調節することによって改善される。第2スレッショルド電流改善で表現して4という因子が報告されている。2つの打ち込みシーケンスが記述されており、それらはプロセス工程の総数を増やすことなく、それらの改善を達成するために局所的なマスキングと標準的な打ち込み条件を適用する。pウエルエンジニアリングの原理はSCRタイプの装置を採用するESD保護装置にも拡張される。
請求項（抜粋）：
集積回路であって、(a)シリコン基板、(b)前記基板の表面から垂直方向へ第1および第2のドーピング分布を有する第1および第2のpウエル領域であって、前記第1のpウエル領域がNMOS装置を含んでおり、前記第2のpウエル領域がESD保護装置を含んでおり、ここにおいて、前記第2のドーピング分布が前記表面近くの前記第1ドーピング分布よりも少ない第1および第2のpウエル領域、および(c)nウエル領域であって、PMOS装置を含んでいるnウエル領域、を含む集積回路。
IPC (6件)：
H05F 3/02
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 29/78
H05F 3/02 L
, H01L 27/04 H
, H01L 27/08 102 F
, H01L 29/78 301 K
