特許

J-GLOBAL ID：200903024642689578

被膜作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159121
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321471
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課 題】 工程毎のバラツキを抑え、品質の揃った被膜を形成すると共に、反応装置の内壁や石英ホルダ等に存在するナトリウムの如きアルカリ金属を除去する被膜作製方法。【解決手段】 プラズマ気相法によって、反応容器内に設けられた基板上に被膜を形成するに際し、プラズマ化させた水素中に1%ないし5%の塩化水素または塩素を添加した気体が前記反応容器に供給され、その内壁または基板ホルダに形成されたナトリウムの如きアルカリ金属をプラズマクリ-ニングする。その後、前記反応容器内に配設された基板上には、プラズマ気相法により被膜が形成される。

請求項（抜粋）：

プラズマ気相法により反応容器内に設けられた基板上に被膜を形成するに際し、プラズマ化させた水素中に1%ないし5%の塩化水素または塩素を添加した気体により前記反応容器の内壁または基板ホルダに形成されたナトリウムの如きアルカリ金属をプラズマクリ-ニングし、その後、前記反応容器内に基板を配設し、プラズマ気相法により被膜を形成することを特徴とする被膜作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04 V