特許

J-GLOBAL ID：200903024645337044

半導体装置の組立方法

発明者： 高橋 一智
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057908
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236574
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップ電極の面積を縮小した場合でも、ボンディングの接合強度を十分なものに保ち、信頼性の高い接合が得られる半導体装置の組立方法を提供する。【構成】 マスク11を用いることにより、ワイヤーボンディング以前の工程においてエキシマレーザビーム21の照射を、半導体チップ1における電極2の電極面に対してのみ選択的に行う。電極2上の酸化膜および有機物はエキシマレーザビームのエネルギーを吸収して分解し、電極面から飛散する(アブレーション)。電極2の新生面(Al)が電極表面に露出するため、ワイヤーボンディング工程において電極面とワイヤーとの接合強度が向上する。

請求項（抜粋）：

外部電極と接続する電極(パッド)を有する半導体チップと、これを搭載するアイランドと、前記半導体チップ電極と外部電極を電気的に接続するためのインナーリードと、外部端子としてのアウターリードとを有する半導体装置を組み立てるに際し、前記半導体チップ電極とインナーリードをワイヤーボンディングにより接続する方法において、ワイヤーボンディング以前の工程で、半導体チップ電極の電極面にエキシマレーザを照射することを特徴とする半導体装置の組立方法。

IPC (5件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/321

FI (5件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/92 604 R