特許
J-GLOBAL ID:200903024646368571

ペルオキシ二硫酸アンモニウムの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 斉藤 武彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-073757
公開番号(公開出願番号):特開2003-003286
出願日: 2002年03月18日
公開日(公表日): 2003年01月08日
要約:
【要約】【課題】 陰極で発生する水素ガスによる悪影響が無いかきわめて少ないペルオキシ二硫酸アンモニウムの製造方法を提供する。【解決手段】 隔膜により陽極室と陰極室に区画された電解槽を用い、少なくともアンモニウムイオン及び硫酸イオンを含有する水溶液を陽極室に供給し、電気分解によりペルオキシ二硫酸アンモニウムを製造する方法において、陰極としてガス拡散電極を使用する。
請求項(抜粋):
隔膜により陽極室と陰極室に区画された電解槽を用い、少なくともアンモニウムイオン及び硫酸イオンを含有する水溶液を陽極室に供給し、電気分解によりペルオキシ二硫酸アンモニウムを製造する方法において、陰極としてガス拡散電極を使用することを特徴とするペルオキシ二硫酸アンモニウムの製造方法。
IPC (2件):
C25B 1/30 ,  C25B 11/04
FI (2件):
C25B 1/30 ,  C25B 11/04 Z
Fターム (20件):
4K011AA12 ,  4K011AA23 ,  4K011AA31 ,  4K011AA68 ,  4K011BA03 ,  4K011BA07 ,  4K011CA04 ,  4K011DA10 ,  4K021AB15 ,  4K021BA01 ,  4K021BA04 ,  4K021DB01 ,  4K021DB05 ,  4K021DB06 ,  4K021DB12 ,  4K021DB13 ,  4K021DB16 ,  4K021DB18 ,  4K021DB31 ,  4K021DC11
引用特許:
審査官引用 (6件)
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