熱型赤外線検出器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348038
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148111
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 SOIダイオード方式の熱型検出器において、十分な逆方向耐圧を有し、寄生PMOSトランジスタによるリーク電流を低減した良好なダイオード特性を有し、さらに1/fノイズを低減した良好な熱型検出器を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板と熱的に分離された断熱構造体と、断熱構造体上に形成された複数個のPN接合ダイオードとを有し、各々のダイオードが電気的に直列接続される熱型赤外線検出器であって、複数個のPN接合ダイオードを構成するP型半導体領域とN型半導体領域は交互に配置されて一連の半導体領域を形成し、複数のダイオードのうちの少なくとも1つは高濃度P型Si半導体12と低濃度N型Si半導体13のPN接合により構成され(D1)、残りのダイオードは高濃度P型半導体12と高濃度N型半導体32のPN接合によって構成される(D2)。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板と熱的に分離された断熱構造体と、該断熱構造体上に形成された複数個のPN接合ダイオードとを有し、各々のダイオードが電気的に直列接続される熱型赤外線検出器であって、前記複数個のPN接合ダイオードを構成するP型半導体領域とN型半導体領域は交互に配置されて一連の半導体領域を形成し、前記複数個のPN接合ダイオードには、第1のタイプのダイオードと第2のタイプのダイオードとが含まれ、前記第1のタイプのダイオードは、P型またはN型のうちの一の導電型の第1の半導体と、P型またはN型のうちの他の導電型の半導体であって前記第1の半導体よりも高い不純物濃度を有する第2の半導体とのPN接合によって構成され、前記第2のタイプのダイオードは、前記第2の半導体と、前記一の導電型の半導体であって前記第1の半導体よりも高い不純物濃度を有する第3の半導体とのPN接合によって構成されることを特徴とする熱型赤外線検出器。

IPC (7件)：

G01J 1/02 , G01J 5/28 , G01J 5/48 , H01L 27/14 , H01L 37/02 , H04N 5/33 , H01L 31/10

FI (9件)：

G01J 1/02 C , G01J 1/02 Q , G01J 1/02 R , G01J 5/28 , G01J 5/48 A , H01L 37/02 , H04N 5/33 , H01L 27/14 K , H01L 31/10 A

Fターム (27件)：

2G065AB02 , 2G065BA02 , 2G065BC03 , 2G065BC15 , 2G065CA12 , 2G065DA18 , 2G065DA20 , 2G066AC13 , 2G066BA13 , 2G066BB07 , 2G066CA08 , 4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA30 , 4M118CA03 , 4M118CA09 , 4M118CA23 , 4M118GA10 , 5C024AX06 , 5C024CX00 , 5C024CX03 , 5C024CX41 , 5F049MA20 , 5F049MB02 , 5F049SS10 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭59-123280
特開昭62-202567

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