半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256020
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067630
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】光透過性絶縁物基板上に良質な単結晶半導体層を形成し、集積回路の基本単位であるパワートランジスタ、及びそれらよりなる集積回路の高性能化を提案することを目的とする。【構成】少なくとも可視光領域において光透過性を有する光透過性絶縁物基板上に形成される半導体装置の製造方法において、表面に単結晶シリコン層を有する多孔質シリコン基板を形成する工程と、前記多孔質層を酸化して前記光透過性絶縁物基板101とする工程と、前記光透過性絶縁物基板101上の前記単結晶シリコン層102を、少なくとも活性層としてパワートランジスタを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法、及びその半導体装置、及びそれを集積した集積回路である。

請求項（抜粋）：

光透過性絶縁物基板上に形成される半導体装置において、表面に単結晶半導体層を有する多孔質シリコン基板の該多孔質層を酸化して得られた光透過性絶縁物基板と、前記単結晶半導体層を少なくともチャネル領域として、前記光透過性絶縁物基板上に形成されたパワートランジスタを有して構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/20 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 29/78 301 W

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭58-143374
特開昭60-066459
特開昭57-149749

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