半導体装置、データ処理システム及び不揮発性メモリセルの閾値変更方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152610
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345494
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】追加書込み動作を再度行なう場合に追加書込みデータを再び度外部から受け取ることを要しない半導体装置を提供する。【解決手段】データラッチ回路(DLR,DLL)に入力した追加書き込みデータとメモリセル(MC)から読み出したデータとに基づいて、書き込み状態の不揮発性メモリセルには同じ書き込み状態を、消去状態の不揮発性メモリセルには追加書込みデータで指示される書き込み状態を、プログラムするためのデータを生成し、生成されたデータをデータラッチ回路にラッチさせて、追加書き込みのための論理合成処理を行う。追加書き込み動作が終了しても、データラッチ回路には、論理合成処理されたデータが残り、そのラッチデータを、書き込み異常に対して再利用可能にでき、追加書込み動作を再度行なう場合に書込みデータを再び外部から受け取ることを要しない。

請求項（抜粋）：

電気的に消去及び書込み可能な複数個の不揮発性メモリセルが接続されるビット線と、ビット線に接続されるセンスラッチ回路及びデータラッチ回路と、前記不揮発性メモリセルからセンスラッチ回路を介して読み出した情報をデータラッチ回路にラッチさせ、また、データラッチ回路にラッチされたデータに基づいて不揮発性メモリセルに対する書込み動作を制御する制御手段とを含み、前記制御手段は、追加書き込みデータをデータラッチ回路に入力し、入力した追加書き込みデータとメモリセルから読み出したデータとに基づいて、書き込み状態の不揮発性メモリセルには同じ書き込み状態を、また、消去状態の不揮発性メモリセルには追加書込みデータで指示される書き込み状態を、プログラムするためのデータを論理合成処理し、論理合成処理によって得られたデータを前記データラッチ回路にラッチさせ、ラッチされたデータに従って不揮発性メモリセルに書き込みを行なうものである半導体装置。

FI (3件)：

G11C 17/00 641 , G11C 17/00 601 T , G11C 17/00 611 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-212765 出願人：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-110748 出願人：株式会社日立製作所
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-061443 出願人：株式会社東芝

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