特許

J-GLOBAL ID：200903024666746289

マルチコンポーネントアロイのエッチングのためのプラズマプロセス

発明者： ダイアナ シャオビン マ ,  田島 大輔 ,  アレン ザオ ,  ピーター ケー. ローヴェンハート ,  ティモシー アール. ウェッブ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058241
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032191
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 エッチャント残留物を実質的に形成することなく、基板上の多成分アロイををエッチングする。【解決手段】 (i)プラズマジェネレータに第1の電力レベルでRF電流を与え、(ii)プラズマ電極に第2の電力レベルでRF電流を与えることにより、プロセスガスをイオン化してプラズマイオンを生成し、これを基板にエネルギーをもって衝突させる。(i)プロセスガスの体積流量比Vrと、(ii)第1の電力レベル 対 第2の電力レベルの電力比Prとの組み合わせを選択して、塩素含有ガスがイオン化して分解Cl+プラズマイオンと非分解Cl2+イオンとを数の比が少なくとも約0.6:1となるように生成する。非分解Cl2+イオンとに較べて分解Cl+プラズマイオンの量が高くなれば、これが基板上の多成分アロイを少なくとも約500nm/min.のエッチレイトでエッチングし、同時に基板上のエッチャント残留物の実質的全部が除去される。

請求項（抜粋）：

基板上にエッチャント残留物を実質的に形成せずに基板上の多成分アロイをエッチングする方法であって、(a)プラズマジェネレータとプラズマ電極とを備えるプロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、(b)(i)イオン化して分解Cl+プラズマイオンと非分解Cl2+ プラズマイオンとを生成することが可能な塩素含有ガスと、(ii)塩素含有ガスの分解を促進することが可能な不活性なガスとの体積流量比Vrを備えるプロセスガスを、プロセスチャンバ内に導入するステップと、(c)(i)プラズマジェネレータに第1の電力レベルでRF電流を与え、(ii)プラズマ電極に第2の電力レベルでRF電流を与えることにより、プロセスガスをイオン化して、基板にエネルギーをもって入射するプラズマイオンを生成するステップとを有し、(i)第1の電力レベル 対 第2の電力レベルの電力比Prと(ii)プロセスガスの体積流量比Vrとを選択して、塩素含有エッチャントガスがイオン化して分解Cl+プラズマイオンと非分解Cl2+イオンとを数の比が少なくとも約0.6:1となるように生成し、これにより、基板上のエッチャント残留物を実質的に形成することなく、基板上の多成分アロイを少なくとも約500nm/min.のエッチレイトでエッチングする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 E