特許

J-GLOBAL ID：200903024669281953

エピタキシャルウェハの検査方法

発明者： 海野 恒弘
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202296
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064652
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】発光出力や応答速度をエピタキシャルウェハの状態のままで正確に評価する。【構成】エピタキシャルウェハの表面にレーザ光のパルスを照射する。レーザ光の波長は、エピタキシャルウェハ表面で吸収されず、活性層で吸収される様な波長を選択する。パルス光励起によりエピタキシャルウェハからフォトルミネッセンス光が放射される。放射されたフォトルミネッセンス光を電気信号に変換する。この変換信号の波形の時間変化からフォトルミネッセンスライフタイムを求める。発光ダイオードの発光出力のばらつきは内部量子効率のばらつきとなる。内部量子効率ηi とライフタイムτphとの間には、発光ライフタイムをτr とすると、ηi =A×(1/τr )×τph(但し、Aは比例定数)の関係にある。これよりライフタイムから発光ダイオードの発光光度を求めることができる。

請求項（抜粋）：

エピタキシャルウェハにレーザ光のパルスを照射し、そのエピタキシャルウェハより放射されたフォトルミネッセンス光の強度の時間変化からフォトルミネッセンスライフタイムを求め、そのライフタイムから発光出力を求めるエピタキシャルウェハの検査方法。