特許
J-GLOBAL ID：200903024672869597
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278789
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129726
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 配線間の寄生容量が小さく、動作速度に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に第1の配線3及び第1の配線3の上部に形成された第2の配線6とを有する多層配線構造の半導体装置において、複数存在する同層の配線である第1の配線3間が真空であるか、または空気などのガスが存在(充填)する構造とする。また、第1の配線3と第2の配線6とを接続しているタングステンプラグの間をも真空またはガスが存在(充填)する構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された複数の第1の配線と、前記第1の配線上に形成された無機または有機の絶縁膜材料からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第2の配線と、前記層間絶縁膜中に埋め込まれ前記第1の配線と前記第2の配線とを接続する導電性を有するプラグとを有する半導体装置であって、複数存在する前記第1の配線間が真空またはガスが充填されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/90 N
, H01L 21/90 V
