特許
J-GLOBAL ID：200903024684556993
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220613
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063291
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 高温においても、動作可能であり、かつ使用可能な最大光出力の向上を図り得る。【構成】 化合物半導体基板と、該化合物半導体基板上で注入キャリアを閉じ込めるダブルヘテロ構造部とを備え、該ダブルヘテロ構造部は、前記化合物半導体基板の格子定数よりも0.5%乃至2.0%大きい格子定数を有する格子不整合化活性層と、該格子不整合化活性層にエピタキシャル接合し、前記化合物半導体基板の格子定数よりも0.2%乃至2.0%小さい格子定数を有する少なくとも一のクラッド層とを備える。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、該化合物半導体基板上で注入キャリアを閉じ込めるダブルヘテロ構造部とを備え、該ダブルヘテロ構造部は、前記化合物半導体基板の格子定数よりも大きい格子定数を有する格子不整合化活性層と、該格子不整合化活性層にエピタキシャル接合し、前記化合物半導体基板の格子定数よりも小さい格子定数を有する少なくとも一のクラッド層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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