特許
J-GLOBAL ID：200903024691145168
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333937
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181215
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】エミッタ領域に接続する電極に多結晶シリコン膜を用いたバイポーラトランジスタにおいて、多結晶シリコン膜上のアルミ電極にシリコンが吸い出しされる事によるhFEの低下を防止する。【構成】N+ 型多結晶シリコン膜9よりベース領域5中に不純物を拡散させてエミッタ領域8を形成した後、N+ 型多結晶シリコン膜9の上層部にN++型拡散層9Aを形成する。
請求項（抜粋）：
P型半導体基板上に形成されたN型埋込層と、この埋込層を含む全面に形成されたN型エピタキシャル層と、前記埋込層上のこのエピタキシャル層に形成されたP型ベース領域と、このベース領域の表面に形成されたN型エミッタ領域と、このエミッタ領域の表面に順次形成されたN型多結晶シリコン膜と金属膜とからなるエミッタ電極とを有する半導体集積回路において、前記多結晶シリコン膜の上層部は下層部に比べて不純物濃度が高く形成されていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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