MOSFETとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013675
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206450
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 MOSFETとその製造方法に関し、部分的に厚さが異なるゲート絶縁膜を形成してショートチャネル効果を低減する。【構成】半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、その上にゲート電極予定領域より小さい第1の導電体層を形成し、第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜の上に、第1の導電体層とともに予定領域のゲート電極となる第2の導電体層を形成して、第1の導電体層と第2の導電体層とで構成されるゲート電極の下の中央部に第1の絶縁膜からなる薄いゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極のチャネルの方向の端部に第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の積層体からなる厚いゲート絶縁膜を形成する。ゲート電極を形成し、このゲート電極のチャネル方向の端部のゲート絶縁膜に接する部分に酸素,窒素等のイオンを注入して絶縁化することによって、ゲート絶縁膜の厚さを部分的に異ならせることもできる。

請求項（抜粋）：

半導体層上に相対して形成されたソース領域とドレイン領域と、該ソース領域とドレイン領域の間の該半導体層の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極を有するMOSFETにおいて、該ゲート電極が、第1の絶縁膜の上に存在する中央部と、第1の絶縁膜の上に積層して形成された第2の絶縁膜の上に存在するチャネル方向の端部からなり、チャネル長が設計値よりも短く形成された場合に、ゲート電極の端部の下の絶縁膜の厚い部分の割合が大きくなるようにして短チャネル効果によるしきい値電圧の変化を低減することができることを特徴とするMOSFET。

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