特許

J-GLOBAL ID：200903024699912770

パターン化された導電膜の形成方法

発明者： 吉川 逸治 ,  石川 真章
出願人/特許権者： 住友大阪セメント株式会社
代理人 (1件)： 土橋 皓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198595
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030551
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 安全で低コスト、高導電性、かつラインの切れが良く、設計値どおりまたは設計値と略同等の微細で精緻なパターンを形成することができるパターン化された導電膜の形成方法を提供することを課題とする。【解決手段】 加熱により焼失する樹脂を含む塗布液を基板上に塗布し乾燥するとともにパターン化する工程と、このパターン化された樹脂乾燥膜の各ライン間に、導電性成分と溶媒とからなり前記樹脂乾燥膜と相溶性がなくかつ撥液性を有する導電膜形成用塗布液を塗布し乾燥する工程と、加熱して前記樹脂乾燥膜を焼失させるとともにパターン化された導電膜を形成させる工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

加熱により焼失する放射線感応型樹脂を含む塗布液を基板上に塗布し乾燥して樹脂乾燥膜を形成する工程と、この樹脂乾燥膜上にフォトマスクを設置し、放射線を照射し現像して、前記樹脂乾燥膜をパターン化する工程と、このパターン化された樹脂乾燥膜の各ライン間に、導電性成分と溶媒とからなり前記樹脂乾燥膜と相溶性がなくかつ撥液性を有する導電膜形成用塗布液を、塗布後の厚みが前記樹脂乾燥膜の膜厚と同等またはそれ以下となるように塗布し乾燥して、導電膜形成用乾燥膜を形成する工程と、前記基板に形成された前記樹脂乾燥膜と前記導電膜形成用乾燥膜とを加熱して、前記樹脂乾燥膜を焼失させるとともにパターン化された導電膜を形成させる工程と、を少なくとも含むことを特徴とするパターン化された導電膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01B 13/00 503 ,  B05D 5/12 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00

FI (4件)：

H01B 13/00 503 D ,  B05D 5/12 B ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00

Fターム (9件)：

4D075AC45 ,  4D075BB28Z ,  4D075BB40Z ,  4D075BB46Z ,  4D075CA22 ,  4D075DA06 ,  4D075DC19 ,  4D075EA05 ,  5G323CA02