特許

J-GLOBAL ID：200903024702587818

多結晶シリコン薄膜の製造方法

発明者： 樽井 久樹 ,  丸山 英治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070991
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275333
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 高品質な多結晶シリコン薄膜を形成することにある。【構成】 支持基板(1)上に点在するように形成された第1の非晶質シリコン膜(2)にレーザ光を照射することによってこの膜を単結晶シリコン領域(2a)とし、次にこの単結晶シリコン領域(2a)を覆うように第2の非晶質シリコン膜(4)を被着形成した後熱処理を施し多結晶化させる。

請求項（抜粋）：

支持基板上に第1の非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記第1の非晶質シリコン膜を前記支持基板上に点在するようにパターニングする工程と、前記第1の非晶質シリコン膜にエネルギービームを照射することにより単結晶シリコン領域とする工程と、点在する前記単結晶シリコン領域を覆うように第2の非晶質シリコン膜を被着形成する工程と、該第2の非晶質シリコン膜を熱処理することにより多結晶化させる工程と、からなることを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-148322
  
• 特開平1-187874
  
• 特開平3-095922
  
• 特開平4-006822