特許

J-GLOBAL ID：200903024706801490

濠エッチバック用の傾斜付き誘電体エッチング工程

発明者： ケイス ジェイ.ブランクナー ,  グレゴリー ビー.シン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049944
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214817
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】集積回路(IC)のデバイスを浅溝分離(STI)により小型にする際に、構造の平面を均一にし、化学的機械的な研磨時間を短縮する方法を与える。【解決手段】STIにおいて濠エッチバックに用いる傾斜付き誘電体エッチング工程を開示する。分離溝(14)をエッチし、充てんした後、構造を平面化する工程にこの発明を用いる。まず、逆濠パターンなどのパターン(40)を溝充てん材料(16)の上に形成する。次にパターン(40)を用いて溝充てん材料(16)をエッチする。等方性エッチングを行って、濃密領域内のパターン(40)だけを除去する。前記等方性エッチングの前に、および/または後に、等方性エッチングと異方性エッチングを組み合わせて行い、過剰の溝充てん材料(16)を除去する。このようにしてCMPの前に大量の過剰の溝充てん材料(18)を除去した後、CMPを行う。

請求項（抜粋）：

充てん材料を堆積させた後で、濃密領域と分離領域を有する構造を平面化する方法であって、前記分離領域と前記濃密領域の選択された部分とを覆うパターンを前記充てん材料の上に形成し、前記パターンと前記充てん材料を等方的にエッチする、ステップを含む、構造を平面化する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/76

FI (5件)：

H01L 21/306 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/76 L