特許

J-GLOBAL ID：200903024709638345

半導体装置及び製造方法

発明者： 松本 和己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356501
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176961
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にAlとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるAl合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1のAl合金膜15上にTiN膜17を形成する工程と、窒素雰囲気で熱処理を施すことにより、TiN膜17を緻密な膜にする工程と、TiN膜17及び第1のAl合金膜15をパターニングすることにより第1のAl合金配線を形成する工程と、第1のAl合金配線15上に第2の層間絶縁膜19を形成する工程と、層間絶縁膜19をエッチングすることにより、第1のAl合金配線15上に位置するビアホール19aを層間絶縁膜19に形成する工程と、ビアホール19a内及び層間絶縁膜19上に第2のAl合金配線を形成する工程と、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

Al合金膜上にTiN膜を形成する工程と、窒素雰囲気で熱処理を施すことにより、上記TiN膜を緻密な膜にする工程と、このTiN膜及びAl合金膜をパターニングすることにより第1のAl合金配線を形成する工程と、第1のAl合金配線上に層間絶縁膜を形成する工程と、この層間絶縁膜をエッチングすることにより、第1のAl合金配線上に位置する接続孔を上記層間絶縁膜に形成する工程と、この接続孔内及び層間絶縁膜上に第2のAl合金配線を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 B

Fターム (48件)：

4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104HH15 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK09 ,  5F033KK10 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ39 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033WW03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13