特許

J-GLOBAL ID：200903024715657483

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 田中 伸史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006052
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209305
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 捕獲電荷が半導体基板に容易に放出されるのを抑制することができるMONOS型不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体基板19上に、ゲート絶縁膜12を介してゲート電極11が配置されている。ゲート絶縁膜12は、第一の酸化ケイ素膜17、窒化ケイ素膜15、そして第二の酸化ケイ素膜13を積層したものである。第一の酸化ケイ素膜17は比較的厚めであり、一部分のみ(電荷注入可能領域17a)が薄くなっている。図1(c)に示すように、電荷注入用の酸化膜厚17の薄い部分17a以外の部分17bでは、電荷がトンネルできないよう厚い酸化膜を用いているため、電荷27が第一の酸化膜17に到達しても、ケイ素基板19へと逃げることができず、電荷の放出が抑制される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第一の酸化ケイ素膜と、該第一の酸化ケイ素膜上に形成された電荷捕獲層としての窒化ケイ素膜と、該窒化ケイ素膜上に形成された第二の酸化ケイ素膜と、を有するゲート絶縁膜、及び、該第二の酸化ケイ素膜上に形成されたゲート電極、を備えたMONOS型半導体記憶装置であって;上記第一の酸化ケイ素膜の一部分にのみ電荷注入可能な領域を設け、他の第一の酸化ケイ素膜の部分を電荷通過が困難な領域としたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434