特許

J-GLOBAL ID：200903024720677123

可視光半導体発光装置とその製造方法

発明者： 浜田 弘喜 ,  本多 正治 ,  庄野 昌幸 ,  山口 隆夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337187
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228041
出願日： 1989年03月31日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】 製造歩留りが高く、且つ寿命が長いAlGaInP系の可視光半導体発光装置とその製造方法を提供することが目的である。【解決手段】 (100)面から[011]方向に5°以上傾斜した面を主面1aとするGaAs基板1と、この主面1a上に形成されたバッファ層2と、このバッファ層2上に形成されたAl、Ga、In、及びPからなる活性層4を含むAlGaInP系半導体層と、を備えた。

請求項（抜粋）：

(100)面から[011]方向に5°以上の角度で傾斜した面を主面とするGaAs基板と、該主面上に形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成されたAl、Ga、In、及びPからなる活性層を含むAlGaInP系半導体層と、を備え、前記角度は、前記バッファ層のヒロックが100個/cm2以下となるように設定したことを特徴とする可視光半導体発光装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-260682
  
• 特開平1-128423