特許

J-GLOBAL ID：200903024724923269

半導体装置の製造装置及びその製造方法

発明者： 竹村 邦和 ,  小賀 彰 ,  伊東 健一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-039343
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246403
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 樹脂封止後のリードフレームにおけるランナー部の除去時に生じるゲート残りを小さくすることができるようにする。【解決手段】 リードフレーム10は、ランナー部11c側に位置し、製造時の位置決め等に用いる第1の位置決め穴10aが封止樹脂部11Aに取り込まれるように形成されている。また、ランナー部11cと対向する外枠部に位置する第2の位置決め穴10bは、封止樹脂部11Aには取り込まれることなく、封止樹脂部11Aから露出するように形成されている。

請求項（抜粋）：

1つのリードフレームに複数の半導体装置を一括して封止する半導体装置の製造装置であって、封止用樹脂材の注入口であるゲート部を有し、前記封止用樹脂材における前記リードフレームのチップ保持面側の封止形状を決定する第1の封止金型と、前記封止用樹脂材における前記リードフレームのチップ保持面側と反対側の封止形状を決定する第2の封止金型とを備え、前記第1の封止金型は、前記リードフレームの前記ゲート部側に設けられた位置決め穴を前記リードフレームの封止領域に封止するように形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/26 ,  H01L 23/50 ,  B29L 31:34

FI (4件)：

H01L 21/56 T ,  B29C 45/26 ,  H01L 23/50 G ,  B29L 31:34

Fターム (17件)：

4F202AH37 ,  4F202CA11 ,  4F202CB01 ,  4F202CB17 ,  4F202CK06 ,  4F202CK15 ,  4F202CK89 ,  4F202CQ05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA06 ,  5F067AA09 ,  5F067DE01 ,  5F067DE02 ,  5F067DE14