特許

J-GLOBAL ID：200903024726405788

磁性体記憶装置

発明者： 石川 正敏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384754
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188353
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 書込を予定しないセルに誤ってデータが書込まれることを防止することができる磁性体記憶装置を提供する。【解決手段】 磁性体記憶装置100は、TMR素子130a〜130fと、ディジット線121と、TMR素子130a〜130fに向かい合う部分を有するビット線111および112とを備える。TMR素子130a〜130fに向かい合うビット線111および112の部分111a〜112fは、TMR素子130a〜130fに向かい合うディジット線121〜123の部分121a〜123fの延びる方向に対して0°以上90°未満の角をなすように延びる。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性体層と、その第1の強磁性体層の上に形成された絶縁層と、その絶縁層の上に形成された第2の強磁性体層とを含む第1の磁気メモリセルと、前記第1の強磁性体層に向かい合う部分を有する第1の導電層と、前記第2の強磁性体層に向かい合う部分を有する第2の導電層とを備え、前記第1の導電層に電流を流すことで生じる第1の磁場と、前記第2の導電層に電流を流すことで生じる第2の磁場との合成磁場を前記第1の磁気メモリセルに印加することで前記第1の磁気メモリセルにデータを書込み、前記第2の強磁性体層に向かい合う前記第2の導電層の部分は、前記第1の強磁性体層に向かい合う前記第1の導電層の部分が延びる方向に対して0°以上90°未満の角度をなすように延びる、磁性体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA15 ,  5F083JA36 ,  5F083LA12 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01