特許
J-GLOBAL ID：200903024728118620
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087404
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286294
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置における電気的特性の向上を図る。【解決手段】 半導体チップ1の電極パッド1bに対応してこれと電気的に接続される複数のリード4cが開口部4eに配置され、かつリード4cと電気的に接続された複数のバンプランド4fを備えるテープ基板4と、内部配線4dを介してリード4cと電気的に接続された複数のバンプとからなり、テープ基板4に、バンプランド4fのうちグランド用、電源用または特定信号用などの容量増加許容電極4hに電気的に接続されて外部に延在する引き出し配線4aと、複数のリード4cごとにこのリード4c群をその先端側で電気的に接続して電解めっき処理後に個々のリード4cに絶縁分離されるめっき用配線4bとが設けられ、前記電解めっき処理を行った際に引き出し配線4aおよびめっき用配線4bを介して全てのリード4cへの給電を行う。
請求項（抜粋）：
半導体チップの表面電極を露出させる開口部が形成され、前記半導体チップの前記表面電極に対応してこれと電気的に接続される複数のリードが前記開口部に配置され、前記リードと電気的に接続された複数の外部端子搭載電極が設けられた配線基板と、前記配線基板の前記外部端子搭載電極に設けられた複数の外部端子とを有し、前記配線基板に、前記外部端子搭載電極のうちグランド用、電源用または特定信号用などの容量増加許容電極に電気的に接続されて外部に向かって延在する引き出し配線と、複数の前記リード群をその先端側で電気的に接続して電解めっき処理後に個々の前記リードに分離されるめっき用配線とが設けられ、前記電解めっき処理時に前記引き出し配線および前記めっき用配線を介して前記リードへの給電が行われることを特徴とする半導体装置。
Fターム (13件)：
5F044KK01
, 5F044KK09
, 5F044KK11
, 5F044KK25
, 5F044KK27
, 5F044MM03
, 5F044MM14
, 5F044MM23
, 5F044MM25
, 5F044NN03
, 5F044NN07
, 5F044NN10
, 5F044RR18
