特許
J-GLOBAL ID：200903024732544927
強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245856
公開番号（公開出願番号）：特開平5-078835
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板上に二酸化珪素を介して電極が形成されていて、その上にPZT薄膜を高周波スパッタ法を用いて形成する方法に於いて、電極の電位をアース電位または浮遊電位に制御しながら、PZT薄膜を堆積し、良好な強誘電体特性のPZT薄膜を再現性良く得る。【構成】 シリコン基板101上に二酸化珪素102を介して電極103が形成されていて、その上にPZT薄膜を高周波スパッタ法を用いて形成する方法に於いて、電極の電位をアース電位または浮遊電位に制御しながら、PZT薄膜を堆積する。
請求項（抜粋）：
電極が表面に形成された基板上に強誘電体薄膜を高周波スパッタ法を用いて製造する方法に於いて、前記電極の電位をアース電位または浮遊電位に制御して、前記強誘電体薄膜を堆積することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
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