特許

J-GLOBAL ID：200903024734679099

光半導体装置

発明者： 岡嶋 靖樹 ,  門田 成悟 ,  坂本 隆真 ,  野口 紳也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153208
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340833
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 光式無接点リレーが外部に電流制限用固定抵抗を必要とし、電源電圧変動に弱く、オン時間が長いという問題を解決する。【解決手段】 入力側のLED3に直列にノーマリオンフォトFET7を接続し、このFET7を、入力側のLED3の発光し初めではこのLEDに流れる電流を大きくし、LEDが本来の発光状態に移行しようとするとその電流を制限する光可変抵抗として用いるようにした。

請求項（抜粋）：

入力側に設けられた発光素子と、この発光素子と相互に直列に接続され、この発光素子の光強度に応じて抵抗値が変化する光可変抵抗と、出力側に設けられ、上記発光素子の発光,非発光に応じて導通状態あるいは非導通状態となる受光素子とを備えたことを特徴とする光半導体装置。

Fターム (5件)：

5F089AB03 ,  5F089CA12 ,  5F089CA15 ,  5F089FA03 ,  5F089GA10