特許
J-GLOBAL ID：200903024735028253
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浜田 満広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-350367
公開番号（公開出願番号）：特開2008-160039
出願日： 2006年12月26日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】本発明の課題は、極力、コンタクトホールの開口面積を増大させることなく、半導体層とバリアメタルとの接触面積を増大させるとともに密着性を向上させ、信頼性のよい低接触抵抗が得られる半導体装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】本発明の半導体装置は、N+型ソース層10と、N+型ソース層10を貫通して設けられたコンタクトホール102と、コンタクトホール102内に形成されたバリアメタル16とコンタクトプラグ17とを有し、N+型ソース層10に対応するコンタクトホール102の側面部分に、コンタクトホール102開口面に向かって広がるテーパ部を設け、その側面部分と基板面との成す角度を、それ以外の側面部分と基板面との成す角度と異ならせた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された半導体層と、
前記半導体基板に前記半導体層を貫通して設けられたコンタクトホールと、
前記コンタクトホール内に形成されたバリアメタルと、
前記コンタクトホールを埋め込むコンタクトプラグとを有する半導体装置において、
前記半導体層に対応する前記コンタクトホールの側面部分はコンタクトホール開口面に向かって広がるテーパ部を有し、前記側面部分と基板面との成す角度が、それ以外の側面部分と基板面との成す角度と異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/41
, H01L 29/417
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/44 S
, H01L29/50 M
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 652E
4M104BB01
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104CC01
, 4M104DD16
, 4M104FF01
, 4M104FF06
, 4M104FF18
, 4M104FF27
, 4M104GG09
, 4M104HH08
