特許

J-GLOBAL ID：200903024739761796

発光ダイオード素子の製造方法

発明者： 桂 芳紀 ,  堤野 正敏 ,  井上 哲修
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277076
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132565
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 低温乃至高温域での通電信頼性を改善できる発光ダイオード素子の製造方法を提供する。【構成】 封止樹脂5の全重量に対して硬化促進剤を1重量%以上添加するとともに、酸化防止剤を所定量添加する。一次硬化を温度110乃至120°Cの範囲で行い、続いて、アフタキュアを140°C以上の温度で行う。これにより、封止樹脂5とリードフレーム1aとの界面を剥離状態xとする。

請求項（抜粋）：

リードフレームの先端に発光ダイオードチップを取り付け、上記チップおよびリードフレーム先端を、所定の成分からなるエポキシ系封止樹脂で封止し、一次硬化およびアフタキュアを所定温度で所定時間だけ行って発光ダイオード素子を製造する発光ダイオード素子の製造方法であって、上記封止樹脂の全重量に対して硬化促進剤を1重量%以上添加するとともに、酸化防止剤を所定量添加し、上記一次硬化を温度100乃至120°Cの範囲で行い、上記アフタキュアを140°C以上の温度で行うことを特徴とする発光ダイオード素子の製造方法。