特許

J-GLOBAL ID：200903024747270670

ボールグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法

発明者： 中島 宏文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134885
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321248
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 チップキャリア(TABテープ)と封止樹脂との密着性を向上させ実装時の基板の剥離を防止する。電極間ピッチのより短い半導体素子をパッケージングできるようにする。【構成】 ポリイミドからなる樹脂基板21上に、内部リード22a、外部リード22bを有するリード22を設けてなるチップキャリア2に、半導体素子1をボンディングする。半導体素子1およびチップキャリア2の内部リード部を完全に内包する第1のモールド樹脂3aを形成する。チップキャリア2の上面を覆い、第1のモールド樹脂3aのチップキャリア2より上の部分を被覆する第2のモールド樹脂3bを形成する。外部リード22b上に半田バンプ5を形成する。

請求項（抜粋）：

樹脂基板上に内部リード部と外部リード部とを備えるリードが複数個形成されてなるチップキャリアと、電極端子が前記チップキャリアの内部リード部に接続されている半導体素子と、前記半導体素子および前記チップキャリアの前記内部リード部を内包して形成された第1のモールド樹脂層と、前記チップキャリアの上面を覆い、前記第1のモールド樹脂層の前記チップキャリアより上の部分の周囲覆うように形成された第2のモールド樹脂層と、前記チップキャリアの前記外部リード部の下面に形成された金属バンプと、を有することを特徴とするボールグリッドアレイ半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 B